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10纳米工艺 三星将量产高精度闪存芯片

CNMO 【原创】 作者:许华,杨雪涛 2013-04-11 18:57
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  手机中国 新闻你是否在想着给你的手机、平板以及电脑增加更多存储而需支付高昂的费用而烦恼呢,这里有一个大好的消息。

  三星宣布将从本月开始批量生产128GB NAND闪存芯片,它采用的是3bit多层式晶片设计和最高行业精度的10纳米工艺技术,预计这种高性能芯片一旦投入市场,将会令市场上的大容量记忆卡、内存和固体硬盘SSD等的价格下跌。

最高精度 三星开始批量生产10纳米闪存
10纳米工艺的3bit 128GB NAND闪存芯片

  另外,这种芯片能够实现400Mbps的数据传输速度。三星计划将它放入128GB microSD卡以及超过500GB存储容量的SSD的制造中,以便加快固体硬盘到闪存之间的转换。希望有一天我们能看到我们的手机和平板的机身内存中嵌入了这种芯片。

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